Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
ALD114913PAL
Product Overview
Fabrikant:
Advanced Linear Devices Inc.
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
ALD114913PAL-DG
Beschrijving:
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 10.6V 12mA, 3mA 500mW Through Hole 8-PDIP
Voorraad:
Offerte Aanvragen Online
13216832
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
ALD114913PAL Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Advanced Linear Devices
Verpakking
Tube
Reeks
EPAD®
Toestand van het product
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Configuratie
2 N-Channel (Dual) Matched Pair
FET-functie
Depletion Mode
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
10.6V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12mA, 3mA
Rds aan (max) @ id, vgs
500Ohm @ 2.7V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.26V @ 1µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
-
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2.5pF @ 5V
Vermogen - Max
500mW
Werkende Temperatuur
0°C ~ 70°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
8-DIP (0.300", 7.62mm)
Leverancier Device Pakket
8-PDIP
Basis productnummer
ALD114913
Datasheet & Documenten
Technische fiches
ALD114(,9)813
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
1014-1065
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
ALD1108ESCL
MOSFET 4N-CH 10V 16SOIC
ALD110904PAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
ALD310704ASCL
MOSFET 4P-CH 8V 16SOIC
ALD212908ASAL
MOSFET 2N-CH 10.6V 0.08A 8SOIC