DMN10H170SFGQ-13
Fabrikant Productnummer:

DMN10H170SFGQ-13

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMN10H170SFGQ-13-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 100V PWRDI3333
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 2.9A (Ta), 8.5A (Tc) 940mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

Voorraad:

Offerte Aanvragen Online
12899386
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

DMN10H170SFGQ-13 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
122mOhm @ 3.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
870.7 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
940mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Graad
Automotive
Kwalificatie
AEC-Q101
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PowerDI3333-8
Pakket / Doos
8-PowerVDFN
Basis productnummer
DMN10

Datasheet & Documenten

Technische fiches
DMN10H170SFGQ
Datasheets
DMN10H170SFGQ-13
HTML Gegevensblad
DMN10H170SFGQ-13-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
DMN10H170SFGQ-13DI

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
DMN10H170SFG-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
1070
DEELNUMMER
DMN10H170SFG-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.16
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
DMN10H170SFGQ-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DMN10H170SFGQ-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.23
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DEELNUMMER
DMN10H170SFG-13
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5900
DEELNUMMER
DMN10H170SFG-13-DG
EENHEIDSPRIJS
0.16
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
taiwan-semiconductor

TSM60NB1R4CH C5G

MOSFET N-CHANNEL 600V 3A TO251

taiwan-semiconductor

TSM1NB60SCT A3

MOSFET N-CH 600V 500MA TO92

taiwan-semiconductor

TSM80N1R2CP ROG

MOSFET N-CH 800V 5.5A TO252

taiwan-semiconductor

TSM090N03ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO252