Fabrikant Productnummer:
DMT10H032SFVW-13
Product Overview
Fabrikant:
Diodes Incorporated
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
DMT10H032SFVW-13-DG
Beschrijving:
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 35A (Tc) 1.3W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Voorraad:
12978974
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
DMT10H032SFVW-13 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
35A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
32mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
544 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.3W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount, Wettable Flank
Leverancier Device Pakket
PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Pakket / Doos
8-PowerVDFN
Basis productnummer
DMT10
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
31-DMT10H032SFVW-13TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
DMT10H032SFVW-7
Fabrikant
Diodes Incorporated
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
0
DEELNUMMER
DMT10H032SFVW-7-DG
EENHEIDSPRIJS
0.17
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMT12H7M9SPSW-13
MOSFET BVDSS: 101V~250V POWERDI5
DMN3016LFDFQ-7
MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
DMNH6021SPSWQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
