DMTH8012LK3-13

Fabrikant Productnummer:

DMTH8012LK3-13

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

DMTH8012LK3-13-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 80V 50A TO252

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 80 V 50A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3

Voorraad:

1630 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12896544

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

DMTH8012LK3-13 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Diodes Incorporated

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

-

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

80 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

50A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

16mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

34 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1949 pF @ 40 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

2.6W (Ta)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

TO-252-3

Pakket / Doos

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Basis productnummer

DMTH8012

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

HTML Gegevensblad

DMTH8012LK3-13-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

2,500

Andere namen

DMTH8012LK3-13DICT

DMTH8012LK3-13DITR

31-DMTH8012LK3-13DKR

DMTH8012LK3-13DI-DG

31-DMTH8012LK3-13CT

31-DMTH8012LK3-13TR

DMTH8012LK3-13DI

DMTH8012LK3-13DIDKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER

IRLR3110ZTRPBF

Fabrikant

Infineon Technologies

BESCHIKBARE HOEVEELHEID

20611

DEELNUMMER

IRLR3110ZTRPBF-DG

EENHEIDSPRIJS

0.73

SUBSTITUTIE TYPE

MFR Recommended

DEELNUMMER

IPD60N10S412ATMA1

Fabrikant

Infineon Technologies

BESCHIKBARE HOEVEELHEID

5842

DEELNUMMER

IPD60N10S412ATMA1-DG

EENHEIDSPRIJS

0.68

SUBSTITUTIE TYPE

MFR Recommended

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

diodes

DMNH6012LK3Q-13

MOSFET N-CH 60V 80A TO252

taiwan-semiconductor

TSM2328CX RFG

MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23

taiwan-semiconductor

TSM7P06CP ROG

MOSFET P-CHANNEL 60V 7A TO252

diodes

DMP2038USS-13

MOSFET P-CH 20V 6.5A 8SO