ZTX853QSTZ
Fabrikant Productnummer:

ZTX853QSTZ

Product Overview

Fabrikant:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

ZTX853QSTZ-DG

Beschrijving:

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
Gedetailleerde Beschrijving:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 130MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

Voorraad:

12979368
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

ZTX853QSTZ Technische specificaties

Categorie
Bipolaire (BJT), Enkele Bipolaire Transistors
Fabrikant
Diodes Incorporated
Verpakking
Tape & Box (TB)
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Transistor Type
NPN
Stroom - collector (ic) (max)
4 A
Spanning - uitsplitsing collectorzender (max.)
100 V
Vce verzadiging (max) @ ib, ic
200mV @ 400mA, 4A
Stroom - Collector Cutoff (Max)
50nA
Gelijkstroomversterking (hFE) (min) @ ic, vce
100 @ 2A, 2V
Vermogen - Max
1.2 W
Frequentie - Overgang
130MHz
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Pakket / Doos
E-Line-3, Formed Leads
Leverancier Device Pakket
E-Line (TO-92 compatible)

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
4,000
Andere namen
31-ZTX853QSTZTB

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

ZTX450QSTZ

PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

diodes

BCP5416QTA

PWR MID PERF TRANSISTOR SOT223 T

microchip-technology

JANSD2N3498

RH SMALL-SIGNAL BJT