Fabrikant Productnummer:

EPC7018GSH

Product Overview

Fabrikant:

EPC Space, LLC

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

EPC7018GSH-DG

Beschrijving:

GAN FET HEMT 100V 90A 5UB

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 100 V 80A (Tc) Surface Mount 5-SMD

Voorraad:

42 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

13239704

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

EPC7018GSH Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

EPC Space

Verpakking

Bulk

Reeks

eGaN®

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

100 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

80A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

5V

Rds aan (max) @ id, vgs

6mOhm @ 40A, 5V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 12mA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

11.7 nC @ 5 V

Vgs (Max.)

+6V, -4V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1240 pF @ 50 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

-

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

5-SMD

Pakket / Doos

5-SMD, No Lead

Aanvullende informatie

Standaard pakket

1

Andere namen

4107-EPC7018GSH

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

RoHS non-compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

1 (Unlimited)

REACH-status

REACH Affected

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

genesic-semiconductor

G2R1000MT33J-TR

3300V 1000M TO-263-7 G2R SIC MOS

genesic-semiconductor

G3R350MT12J-TR

1200V 350M TO-263-7 G3R SIC MOSF

genesic-semiconductor

G3R160MT17J-TR

1700V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF

genesic-semiconductor

G3R160MT12J-TR

1200V 160M TO-263-7 G3R SIC MOSF