Fabrikant Productnummer:
FCP16N60N
Product Overview
Fabrikant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FCP16N60N-DG
Beschrijving:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 16A (Tc) 134.4W (Tc) Through Hole TO-220-3
Voorraad:
2766 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946069
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FCP16N60N Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
SupreMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
16A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
199mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
52.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2170 pF @ 100 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
134.4W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
93
Andere namen
2156-FCP16N60N
FAIFSCFCP16N60N
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
2SK2632LS-CB11
2SK2632 - 2.5A, 800V, 4.8OHM, N-
FCH077N65F-F085
MOSFET N-CH 650V 54A TO247-3
FCH47N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
