FDB029N06
Fabrikant Productnummer:

FDB029N06

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDB029N06-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 231W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Voorraad:

5208 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946970
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDB029N06 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
3.1mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
151 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
9815 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
231W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-263 (D2PAK)
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
73
Andere namen
FAIFSCFDB029N06
2156-FDB029N06

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
international-rectifier

AUIRF1010ZL

MOSFET N-CH 55V 75A TO262

fairchild-semiconductor

FDS4470

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDD8796

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDD8880_F054

1-ELEMENT, N-CHANNEL POWER MOSFE