FDFMA2P853
Fabrikant Productnummer:

FDFMA2P853

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDFMA2P853-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 3A 6MICROFET
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 3A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)

Voorraad:

22471 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946796
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDFMA2P853 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
1.8V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
120mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
435 pF @ 10 V
FET-functie
Schottky Diode (Isolated)
Vermogensdissipatie (max.)
1.4W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-MicroFET (2x2)
Pakket / Doos
6-VDFN Exposed Pad

Datasheet & Documenten

Technische fiches
FDFMA2P853 Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
825
Andere namen
2156-FDFMA2P853
ONSONSFDFMA2P853

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FCPF380N60

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FQP3N80C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3

fairchild-semiconductor

FDB86102LZ

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8

fairchild-semiconductor

FQA27N25

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2