FDG312P
Fabrikant Productnummer:

FDG312P

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDG312P-DG

Beschrijving:

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 750mW (Ta) Surface Mount SC-88 (SC-70-6)

Voorraad:

91890 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946840
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDG312P Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
20 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1.2A (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
180mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
5 nC @ 4.5 V
Vgs (Max.)
±8V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
330 pF @ 10 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
750mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
SC-88 (SC-70-6)
Pakket / Doos
6-TSSOP, SC-88, SOT-363

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,649
Andere namen
2156-FDG312P
FAIFSCFDG312P

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FDG311N

MOSFET N-CH 20V 1.9A SC88

stmicroelectronics

STE70NM60

MOSFET N-CH 600V 70A ISOTOP

international-rectifier

IRFH7934TRPBF

MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN

fairchild-semiconductor

FDS8882

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9