FDP3672
Fabrikant Productnummer:

FDP3672

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDP3672-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 105 V 5.9A (Ta), 41A (Tc) 135W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

9651 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946356
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDP3672 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
105 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5.9A (Ta), 41A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
33mOhm @ 41A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1670 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
135W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
328
Andere namen
2156-FDP3672
FAIFSCFDP3672

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
international-rectifier

IRF9240

HEXFET POWER MOSFET

fairchild-semiconductor

FDD6296

MOSFET N-CH 30V 15A/50A DPAK

international-rectifier

AUIRL1404ZS

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

fairchild-semiconductor

FDB9403L-F085

MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK