FDP8441
Fabrikant Productnummer:

FDP8441

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDP8441-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 23A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

14458 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946479
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FDP8441 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
PowerTrench®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
23A (Ta), 80A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
280 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
15000 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
300W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220-3
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
187
Andere namen
FAIFSCFDP8441
2156-FDP8441

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FQPF8N90C

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

fairchild-semiconductor

FQPF2N70

MOSFET N-CH 700V 2A TO220F

fairchild-semiconductor

FCPF9N60NT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

international-rectifier

IRF6668TRPBF

IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW