FDP8880

Fabrikant Productnummer:

FDP8880

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FDP8880-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Through Hole TO-220-3

Voorraad:

62900 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12946993

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

FDP8880 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Verpakking

Bulk

Reeks

PowerTrench®

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

30 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

11A (Ta), 54A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

4.5V, 10V

Rds aan (max) @ id, vgs

11.6mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

29 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±20V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1240 pF @ 15 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

55W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

TO-220-3

Pakket / Doos

TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

573

Andere namen

FAIFSCFDP8880

2156-FDP8880

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

fairchild-semiconductor

FCPF260N60E

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDPF6N60ZUT

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220F

fairchild-semiconductor

FDB16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A D2PAK

nexperia

PH7730DL,115

PH7730DL - N-CHANNEL TRENCHMOS