Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
FQAF16N50
Product Overview
Fabrikant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQAF16N50-DG
Beschrijving:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 11.3A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF
Voorraad:
8060 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12978209
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQAF16N50 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
320mOhm @ 5.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
110W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3PF
Pakket / Doos
TO-3P-3 Full Pack
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheet
Aanvullende informatie
Standaard pakket
108
Andere namen
ONSFSCFQAF16N50
2156-FQAF16N50
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
G50N03K
MOSFET N-CH 30V 65A TO-252
GC11N65F
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
GC11N65F
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F
3400
N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M