FQAF16N50
Fabrikant Productnummer:

FQAF16N50

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQAF16N50-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 11.3A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-3PF

Voorraad:

8060 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12978209
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQAF16N50 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
320mOhm @ 5.65A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3000 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
110W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-3PF
Pakket / Doos
TO-3P-3 Full Pack

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
108
Andere namen
ONSFSCFQAF16N50
2156-FQAF16N50

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

G50N03K

MOSFET N-CH 30V 65A TO-252

goford-semiconductor

GC11N65F

N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4

goford-semiconductor

GC11N65F

MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F

goford-semiconductor

3400

N30V,RD(MAX)<27M@10V,RD(MAX)<33M