Fabrikant Productnummer:
FQD1N60CTM
Product Overview
Fabrikant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQD1N60CTM-DG
Beschrijving:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Voorraad:
1490 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946814
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQD1N60CTM Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
1A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
11.5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.2 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
170 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 28W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252 (DPAK)
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,110
Andere namen
FAIFSCFQD1N60CTM
2156-FQD1N60CTM
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDD6688
MOSFET N-CH 30V 84A DPAK
FDPF5N50NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
IRF3703PBF
IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
