FQI5N60CTU
Fabrikant Productnummer:

FQI5N60CTU

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQI5N60CTU-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 4.5A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 3.13W (Ta), 100W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Voorraad:

34688 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946771
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQI5N60CTU Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 100W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datasheet & Documenten

Technische fiches
FQI5N60CTU Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
350
Andere namen
2156-FQI5N60CTU
FAIFSCFQI5N60CTU

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
fairchild-semiconductor

FQP3P20

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FQA44N30

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4

fairchild-semiconductor

FDP16AN08A0

MOSFET N-CH 75V 9A/58A TO220-3

fairchild-semiconductor

FDPF13N50FT

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1