FQI6N60CTU
Fabrikant Productnummer:

FQI6N60CTU

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQI6N60CTU-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 5.5A I2PAK
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 5.5A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Voorraad:

1844 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12907680
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQI6N60CTU Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Tube
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
810 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-262 (I2PAK)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Datasheet & Documenten

Technische fiches
FQI6N60CTU

Aanvullende informatie

Standaard pakket
398
Andere namen
FAIFSCFQI6N60CTU
2156-FQI6N60CTU-FS

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

IRFBF30SPBF

MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK

vishay-siliconix

IRF614S

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

vishay-siliconix

IRF744PBF

MOSFET N-CH 450V 8.8A TO220AB

littelfuse

IXFB40N110P

MOSFET N-CH 1100V 40A PLUS264