FQI8N60CTU

Fabrikant Productnummer:

FQI8N60CTU

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQI8N60CTU-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 600 V 7.5A (Tc) 3.13W (Ta), 147W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)

Voorraad:

6985 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12946703

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

FQI8N60CTU Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Verpakking

Bulk

Reeks

QFET®

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

600 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

7.5A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

10V

Rds aan (max) @ id, vgs

1.2Ohm @ 3.75A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs

36 nC @ 10 V

Vgs (Max.)

±30V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

1255 pF @ 25 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

3.13W (Ta), 147W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Through Hole

Leverancier Device Pakket

I2PAK (TO-262)

Pakket / Doos

TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Basis productnummer

FQI8N60

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket

254

Andere namen

2156-FQI8N60CTU

ONSONSFQI8N60CTU

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8542.39.0001

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

international-rectifier

IRLR2905ZTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 42A DPAK

fairchild-semiconductor

FQP7P06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7

international-rectifier

IRF430

500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA

fairchild-semiconductor

FDMC8327L

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1