FQPF2N60C
Fabrikant Productnummer:

FQPF2N60C

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FQPF2N60C-DG

Beschrijving:

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 23W (Tc) Through Hole TO-220F-3

Voorraad:

16763 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12946563
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FQPF2N60C Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
235 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
23W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220F-3
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack

Datasheet & Documenten

Technische fiches
FQP2N60C Datasheet

Aanvullende informatie

Standaard pakket
501
Andere namen
ONSONSFQPF2N60C
2156-FQPF2N60C

Milieu- en Exportclassificatie

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
international-rectifier

IRF60DM206

IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER

fairchild-semiconductor

FDMS7670

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2

fairchild-semiconductor

FDPF51N25YDTU

MOSFET N-CH 250V 51A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FDP025N06

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1