Fabrikant Productnummer:
FQU5N60CTU
Product Overview
Fabrikant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
FQU5N60CTU-DG
Beschrijving:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Through Hole I-PAK
Voorraad:
4040 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12947147
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
FQU5N60CTU Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
QFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2.8A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.5Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
670 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 49W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I-PAK
Pakket / Doos
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
695
Andere namen
2156-FQU5N60CTU
FAIFSCFQU5N60CTU
Milieu- en Exportclassificatie
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
PSMN2R6-60PSQ
NOW NEXPERIA PSMN2R6-60PSQ - 150
FCU2250N80Z
MOSFET N-CH 800V 2.6A I-PAK
FDB8896
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
