ISL9N306AP3
Fabrikant Productnummer:

ISL9N306AP3

Product Overview

Fabrikant:

Fairchild Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

ISL9N306AP3-DG

Beschrijving:

N-CHANNEL POWER MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 30 V 75A (Tc) 125W (Ta) Through Hole TO-220AB

Voorraad:

55600 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12954230
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

ISL9N306AP3 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
UltraFET®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3400 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
125W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
398
Andere namen
FAIFSCISL9N306AP3
2156-ISL9N306AP3

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
toshiba-semiconductor-and-storage

TK190A65Z,S4X

MOSFET N-CH 650V 15A TO220SIS

fairchild-semiconductor

ISL9N308AP3

N-CHANNEL POWER MOSFET

alpha-and-omega-semiconductor

AOT600A60L

MOSFET N-CH 600V 8A TO220

vishay-siliconix

SI3451DV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2.8A 6TSOP