Fabrikant Productnummer:
SSW2N60BTM
Product Overview
Fabrikant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
SSW2N60BTM-DG
Beschrijving:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 2A (Tc) 3.13W (Ta), 54W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voorraad:
4632 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12938457
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
SSW2N60BTM Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
5Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
490 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
3.13W (Ta), 54W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
D2PAK
Pakket / Doos
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
650
Andere namen
FAIFSCSSW2N60BTM
2156-SSW2N60BTM
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NTBG040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A D2PAK-7
MTP9N25E
N-CHANNEL POWER MOSFET
ISZ040N03L5ISATMA1
MOSFET N-CH 30V 18A/40A TSDSON
