Huis
Producten
fabrikanten
Over DiGi
Neem contact met ons op
Blogs en Berichten
Aanvraag/offerte
Belgium
Aanmelden
Selectieve Taal
Huidige taal van uw keuze:
Belgium
Schakel:
Engels
Europa
Verenigd Koninkrijk
Frankrijk
Spanje
Turkije
Moldavië
Litouwen
Noorwegen
Duitsland
Portugal
Slowakije
Italië
Finland
Russisch
Bulgarije
Denemarken
Estland
Polen
Oekraïne
Slovenië
Tsjechisch
Grieks
Kroatië
Israël
Servië
Wit-Rusland
Nederland
Zweden
Montenegro
Baskisch
IJsland
Bosnië
Hongaars
Roemenië
Oostenrijk
België
Ierland
Azië / Stille Oceaan
China
Vietnam
Indonesië
Thailand
Laos
Filipijns
Maleisië
Korea
Japan
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Saudi-Arabië
Qatar
Koeweit
Cambodja
Myanmar
Afrika, India en het Midden-Oosten
Verenigde Arabische Emiraten
Tadzjikistan
Madagaskar
India
Iran
DR Congo
Zuid-Afrika
Egypte
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marokko
Tunesië
Zuid-Amerika / Oceanië
Nieuw-Zeeland
Angola
Brazilië
Mozambique
Peru
Colombia
Chili
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentinië
Paraguay
Australië
Noord-Amerika
Verenigde Staten
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexico
Over DiGi
Over ons
Over ons
Onze Certificeringen
DiGi Introductie
Waarom DiGi
Beleid
Kwaliteitsbeleid
Gebruiksvoorwaarden
RoHS-naleving
Retourproces
Hulpbronnen
Productcategorieën
fabrikanten
Blogs en Berichten
Diensten
Kwaliteitsgarantie
Betaalmethode
Wereldwijde Verzending
Verzendtarieven
Veelgestelde vragen
Fabrikant Productnummer:
G3R350MT12D
Product Overview
Fabrikant:
GeneSiC Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
G3R350MT12D-DG
Beschrijving:
SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 11A (Tc) 74W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voorraad:
5904 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12978342
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
*
Bedrijf
*
Contactnaam
*
Telefoon
*
E-mail
Leveringsadres
Bericht
(
*
) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
G3R350MT12D Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
GeneSiC Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
G3R™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V
Rds aan (max) @ id, vgs
420mOhm @ 4A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.69V @ 2mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
±15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
334 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
74W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
G3R350
Datasheet & Documenten
Technische fiches
G3R350MT12D
Datasheets
G3R350MT12D
HTML Gegevensblad
G3R350MT12D-DG
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
1242-G3R350MT12D
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AUIRFU8405
MOSFET N-CH 40V 100A I-PAK
SCT4036KEC11
1200V, 36M, 3-PIN THD, TRENCH-ST
BUK9609-75A,118
TRANSISTOR >30MHZ
G30N02T
N20V,RD(MAX)<
[email protected]
,VTH0.5V~1.