Fabrikant Productnummer:
GP2T040A120H
Product Overview
Fabrikant:
SemiQ
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
GP2T040A120H-DG
Beschrijving:
SIC MOSFET 1200V 40M TO-247-4L
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 63A (Tc) 322W (Tc) Through Hole TO-247-4
Voorraad:
55 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12988865
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
GP2T040A120H Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
SemiQ
Verpakking
Tube
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
63A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
20V
Rds aan (max) @ id, vgs
52mOhm @ 40A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
+25V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3192 pF @ 1000 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
322W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-247-4
Pakket / Doos
TO-247-4
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
1560-GP2T040A120H
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Affected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AO3400A
30V 5.8A 35MR@10V,5.8A 1.4W 1.4V
BSS84
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE
DMTH4M95SPS-13
MOSFET N-CH 40V 100A PWRDI5060-8
