Fabrikant Productnummer:
G2012
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
G2012-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Voorraad:
3000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000381
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
G2012 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max.)
±10V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-DFN (2x2)
Pakket / Doos
6-WDFN Exposed Pad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
4822-G2012TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SIHD14N60ET1-GE3
N-CHANNEL 600V
IRFR9210PBF-BE3
P-CHANNEL 200V
G10N03S
MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8
