G2012
Fabrikant Productnummer:

G2012

Product Overview

Fabrikant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

G2012-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 20V 12A DFN2*2-6L
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 12A (Tc) 1.5W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)

Voorraad:

3000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000381
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

G2012 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.5V, 4.5V
Rds aan (max) @ id, vgs
12mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (Max.)
±10V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
1.5W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
6-DFN (2x2)
Pakket / Doos
6-WDFN Exposed Pad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
4822-G2012TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
vishay-siliconix

SIHD14N60ET1-GE3

N-CHANNEL 600V

vishay-siliconix

IRFR9210PBF-BE3

P-CHANNEL 200V

goford-semiconductor

G10N03S

MOSFET N-CH 30V 10A SOP-8

vishay-siliconix

SQJA20EP-T1_BE3

N-CHANNEL 200-V (D-S) 175C MOSFE