Fabrikant Productnummer:
G50N03J
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
G50N03J-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 65A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251
Voorraad:
3000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000702
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
G50N03J Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
48W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-251
Pakket / Doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Aanvullende informatie
Standaard pakket
3,000
Andere namen
4822-G50N03J
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMT64M1LCG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333
DMP2067LSS-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.
DMNH6010SCTBQ-13
MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R
