G50N03J
Fabrikant Productnummer:

G50N03J

Product Overview

Fabrikant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

G50N03J-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 65A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251

Voorraad:

3000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000702
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

G50N03J Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
48W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-251
Pakket / Doos
TO-251-3 Stub Leads, IPak

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
4822-G50N03J

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
diodes

DMT64M1LCG-13

MOSFET BVDSS: 61V~100V V-DFN3333

diodes

DMP2067LSS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.

diodes

DMNH6010SCTBQ-13

MOSFET BVDSS: 41V~60V TO263 T&R

rohm-semi

RS6N120BHTB1

NCH 80V 120A, HSOP8, POWER MOSFE