Fabrikant Productnummer:
G65P06F
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
G65P06F-DG
Beschrijving:
P-CH, -60V, 65A, RD(MAX)<18M@-10
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 60 V 65A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Voorraad:
48 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12992785
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
G65P06F Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
6477 pF @ 25 V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
39W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220F
Pakket / Doos
TO-220-3 Full Pack
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
3141-G65P06F
4822-G65P06F
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
SQA470CEJW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 30 V (D-S)
ISC058N04NM5ATMA1
40V 5.8M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
TK5R3E08QM,S1X
UMOS10 TO-220AB 80V 5.3MOHM
