Fabrikant Productnummer:
G65P06T
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
G65P06T-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
13000952
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
G65P06T Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
-
Reeks
TrenchFET®
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
18mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
130W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,000
Andere namen
4822-G65P06T
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
GT105N10T
N100V,RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)<
NVMYS2D3N06CTWG
T6 60V SL LFPAK4 5X6
DMT12H060LFDF-7
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
