Fabrikant Productnummer:
GC11N65T
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
GC11N65T-DG
Beschrijving:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Voorraad:
98 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
13000672
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
GC11N65T Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tube
Reeks
Cool MOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
901 pF @ 50 V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
192W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220
Pakket / Doos
TO-220-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
4822-GC11N65T
3141-GC11N65T
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
DMWSH120H90SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMWSH120H28SM4Q
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
DMN2310UW-13
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R
