Fabrikant Productnummer:
GT6K2P10KH
Product Overview
Fabrikant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
GT6K2P10KH-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 100V 4.3A TO-252
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 4.3A (Tc) 25W (Tc) Surface Mount TO-252
Voorraad:
15000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12978151
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
GT6K2P10KH Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Goford Semiconductor
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SGT
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
4.3A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
670mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (Max.)
±20V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
25W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
TO-252
Pakket / Doos
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Aanvullende informatie
Standaard pakket
2,500
Andere namen
4822-GT6K2P10KHTR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AUIRFB8405
AUIRFB8405 - 20V-40V N-CHANNEL A
FCH043N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
SIHA17N80AE-GE3
MOSFET N-CH 800V 7A TO220
