Fabrikant Productnummer:
RF1S50N06
Product Overview
Fabrikant:
Harris Corporation
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
RF1S50N06-DG
Beschrijving:
50A, 60V, 0.022 OHM, N-CHANNEL
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 50A (Tc) 131W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Voorraad:
2746 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12955141
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
RF1S50N06 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Verpakking
Bulk
Reeks
-
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
22mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 20 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2020 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
131W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
I2PAK (TO-262)
Pakket / Doos
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Aanvullende informatie
Standaard pakket
290
Andere namen
2156-RF1S50N06
HARHARRF1S50N06
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
Vendor Undefined
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPP070N08N3GXKSA1
N-CHANNEL POWER MOSFET
AO3459
MOSFET P-CH 30V 2.6A SOT23-3
2SK973L-E
GENERAL SWITCHING POWER MOSFET
