Fabrikant Productnummer:
AUIRF1018E
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
AUIRF1018E-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 79A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voorraad:
12801971
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
AUIRF1018E Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
HEXFET®
Toestand van het product
Not For New Designs
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
79A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
8.4mOhm @ 47A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 100µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2290 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
110W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
TO-220AB
Pakket / Doos
TO-220-3
Basis productnummer
AUIRF1018
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
50
Andere namen
SP001519520
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSZ165N04NSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 8.9A/31A TSDSON
IPP040N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
EPC2051
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
