Fabrikant Productnummer:
BSC010NE2LSATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSC010NE2LSATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Voorraad:
19280 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12802025
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSC010NE2LSATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
25 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
39A (Ta), 100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4700 pF @ 12 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TDSON-8-7
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
BSC010
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
BSC010NE2LSCT-DG
BSC010NE2LS-DG
BSC010NE2LSATMA1TR
BSC010NE2LSDKR
BSC010NE2LS
BSC010NE2LSCT
BSC010NE2LSTR-DG
SP000776124
BSC010NE2LSATMA1CT
BSC010NE2LSATMA1DKR
BSC010NE2LSDKR-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSS159NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 230MA SOT23-3
CSD17579Q3A
MOSFET N-CH 30V 20A 8VSON
AUIRF2805
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
