Fabrikant Productnummer:
BSC018N04LSGATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSC018N04LSGATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 40V 30A/100A TDSON
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 30A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Voorraad:
32725 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12835939
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
Onc3
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSC018N04LSGATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
30A (Ta), 100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.8mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 85µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
12000 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TDSON-8-1
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
BSC018
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
SP000388293
BSC018N04LS GDKR
BSC018N04LSGATMA1TR
BSC018N04LSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC018N04LSGATMA1DKR
BSC018N04LS G
BSC018N04LS GCT-DG
BSC018N04LS GTR-DG
BSC018N04LSGATMA1CT
BSC018N04LS GDKR-DG
BSC018N04LS G-DG
BSC018N04LSG
BSC018N04LS GCT
BSC018N04LSGATMA1DKR-DGTR-DG
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FDZ4670
MOSFET N-CH 30V 25A 20FLFBGA
FDME410NZT
MOSFET N-CH 20V 7A MICROFET
AUIRF2805S
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
