BSC022N04LSATMA1
Fabrikant Productnummer:

BSC022N04LSATMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

BSC022N04LSATMA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-6

Voorraad:

18064 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12851884
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

BSC022N04LSATMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
40 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2600 pF @ 20 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.5W (Ta), 69W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TDSON-8-6
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
BSC022

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
5,000
Andere namen
BSC022N04LSATMA1TR
BSC022N04LSATMA1DKR
SP001059844
BSC022N04LSATMA1CT

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
onsemi

FDS8896

MOSFET N-CH 30V 15A 8SOIC

onsemi

FDT439N

MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT223-4

vishay-siliconix

IRFP15N60LPBF

MOSFET N-CH 600V 15A TO247-3

infineon-technologies

BSC884N03MS G

MOSFET N-CH 34V 17A/85A TDSON