Fabrikant Productnummer:
BSP123E6327T
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSP123E6327T-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voorraad:
12800654
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSP123E6327T Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
370mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
2.8V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
70 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.79W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223-4
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Datasheet & Documenten
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
BSP123XTINCT
BSP123XTINTR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
RoHS non-compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
BSP89,115
Fabrikant
Nexperia USA Inc.
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
11918
DEELNUMMER
BSP89,115-DG
EENHEIDSPRIJS
0.15
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSS131L6327HTSA1
MOSFET N-CH 240V 110MA SOT23-3
IPB022N04LGATMA1
MOSFET N-CH 40V 90A D2PAK
IPD90N06S4L03ATMA2
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-31