BSP125H6327XTSA1
Fabrikant Productnummer:

BSP125H6327XTSA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

BSP125H6327XTSA1-DG

Beschrijving:

MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4

Voorraad:

27360 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12799993
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

BSP125H6327XTSA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
600 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
120mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
150 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223-4
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
BSP125

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP001058576
BSP125H6327XTSA1TR
BSP125H6327XTSA1CT
BSP125H6327XTSA1DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

BSZ040N04LSGATMA1

MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON

infineon-technologies

IPA70R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

infineon-technologies

IPA60R280P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP

infineon-technologies

IPD50N04S408ATMA1

MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3