Fabrikant Productnummer:
BSP149H6327XTSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSP149H6327XTSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voorraad:
25184 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12799040
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSP149H6327XTSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
0V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 400µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 5 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
430 pF @ 25 V
FET-functie
Depletion Mode
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223-4
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
BSP149
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP001058818
BSP149H6327XTSA1CT
BSP149H6327XTSA1DKR
BSP149H6327XTSA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSC350N20NSFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 35A TDSON-8-1
BSC22DN20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5
BTS282ZE3230AKSA2
MOSFET N-CH 49V 80A TO220-7
