Fabrikant Productnummer:
BSP297H6327XTSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSP297H6327XTSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 200 V 660mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voorraad:
7629 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12798534
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSP297H6327XTSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
660mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 660mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 400µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
16.1 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
357 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223-4
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Basis productnummer
BSP297
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP001058622
BSP297H6327XTSA1DKR
BSP297H6327XTSA1CT
BSP297H6327XTSA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
AUIRFL024NTR
MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT-223
BSC007N04LS6ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TDSON-8-6
BSC072N08NS5ATMA1
MOSFET N-CH 80V 74A TDSON
