Fabrikant Productnummer:
BSP299H6327XUSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSP299H6327XUSA1-DG
Beschrijving:
MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Voorraad:
12799395
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSP299H6327XUSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
SIPMOS®
Toestand van het product
Obsolete
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
500 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
400mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
10V
Rds aan (max) @ id, vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
1.8W (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT223-4
Pakket / Doos
TO-261-4, TO-261AA
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
BSP299H6327XUSA1CT
BSP299H6327XUSA1DKR
2156-BSP299H6327XUSA1TR
SP001058628
BSP299H6327XUSA1-DG
BSP299H6327XUSA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
IRFRC20TRPBF
Fabrikant
Vishay Siliconix
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
5703
DEELNUMMER
IRFRC20TRPBF-DG
EENHEIDSPRIJS
0.44
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSZ900N20NS3GATMA1
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
BSS126H6327XTSA2
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6