BSS123IXTMA1
Fabrikant Productnummer:

BSS123IXTMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

BSS123IXTMA1-DG

Beschrijving:

100V N-CH SMALL SIGNAL MOSFET IN
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3-5

Voorraad:

12985211
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

BSS123IXTMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
-
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Discontinued at Digi-Key
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
100 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
190mA (Ta)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
4.5V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
6Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 13µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
0.63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
15 pF @ 50 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
500mW (Ta)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-SOT23-3-5
Pakket / Doos
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Basis productnummer
BSS123

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Aanvullende informatie

Standaard pakket
3,000
Andere namen
448-BSS123IXTMA1TR
448-BSS123IXTMA1CT
SP005558639
448-BSS123IXTMA1DKR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Alternatieve Modellen

DEELNUMMER
BSS123IXTSA1
Fabrikant
Infineon Technologies
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
7750
DEELNUMMER
BSS123IXTSA1-DG
EENHEIDSPRIJS
0.03
SUBSTITUTIE TYPE
Parametric Equivalent
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
goford-semiconductor

G15N10C

N100V,RD(MAX)<110M@10V,RD(MAX)<1

rohm-semi

SCT4062KRHRC15

1200V, 26A, 4-PIN THD, TRENCH-ST

micro-commercial-components

MCAC28P06Y-TP

P-CHANNEL MOSFET, DFN5060

diodes

DMP2008USS-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SO-8 T&R 2.