Fabrikant Productnummer:
BSZ086P03NS3GATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
BSZ086P03NS3GATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET P-CH 30V 13.5A/40A TSDSON
Gedetailleerde Beschrijving:
P-Channel 30 V 13.5A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Voorraad:
6668 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12856311
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
BSZ086P03NS3GATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™
Toestand van het product
Active
Soort FET
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
30 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
13.5A (Ta), 40A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
6V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
8.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.1V @ 105µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
57.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±25V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4785 pF @ 15 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TSDSON-8
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Basis productnummer
BSZ086
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
BSZ086P03NS3 G-DG
BSZ086P03NS3 GDKR-DG
BSZ086P03NS3G
BSZ086P03NS3 GCT
BSZ086P03NS3 G
SP000473024
BSZ086P03NS3 GDKR
BSZ086P03NS3GATMA1DKR
BSZ086P03NS3 GTR-DG
BSZ086P03NS3GATMA1TR
BSZ086P03NS3 GCT-DG
BSZ086P03NS3GATMA1CT
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
NTLUS3A18PZCTAG
MOSFET P-CH 20V 5.1A 6UDFN
NTP6413ANG
MOSFET N-CH 100V 42A TO220AB
SCH1335-TL-H
MOSFET P-CH 12V 2.5A 6SCH