FF23MR12W1M1B11BOMA1
Fabrikant Productnummer:

FF23MR12W1M1B11BOMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

FF23MR12W1M1B11BOMA1-DG

Beschrijving:

SIC 2N-CH 1200V 50A MODULE
Gedetailleerde Beschrijving:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 50A Chassis Mount Module

Voorraad:

242 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801059
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

FF23MR12W1M1B11BOMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, FET, MOSFET-arrays
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tray
Reeks
CoolSiC™+
Toestand van het product
Obsolete
Technologie
Silicon Carbide (SiC)
Configuratie
2 N-Channel (Dual)
FET-functie
-
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200V (1.2kV)
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
50A
Rds aan (max) @ id, vgs
23mOhm @ 50A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.55V @ 20mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
125nC @ 15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
3950pF @ 800V
Vermogen - Max
-
Werkende Temperatuur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type montage
Chassis Mount
Pakket / Doos
Module
Leverancier Device Pakket
Module
Basis productnummer
FF23MR12

Datasheet & Documenten

Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad

Aanvullende informatie

Standaard pakket
24
Andere namen
SP001602224

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPG20N06S415ATMA1

MOSFET 2N-CH 60V 20A 8TDSON

infineon-technologies

IPG20N06S2L65ATMA1

MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON

infineon-technologies

IPG20N04S412AATMA1

MOSFET 2N-CH 40V 20A 8TDSON

infineon-technologies

IPG15N06S3L-45

MOSFET 2N-CH 55V 15A 8TDSON