Fabrikant Productnummer:
IAUC120N06S5N022ATMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IAUC120N06S5N022ATMA1-DG
Beschrijving:
MOSFET_)40V 60V)
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 60 V 170A (Tj) 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Voorraad:
12991614
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IAUC120N06S5N022ATMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
OptiMOS™-5
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
60 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
170A (Tj)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
7V, 10V
Rds aan (max) @ id, vgs
2.24mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.4V @ 65µA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
68 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4930 pF @ 30 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
136W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TDSON-8-34
Pakket / Doos
8-PowerTDFN
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
5,000
Andere namen
SP005613156
448-IAUC120N06S5N022ATMA1TR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
FBG04N30BSH
GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
ISC800P06LMATMA1
TRENCH 40<-<100V
FBG10N05ASH
GAN FET HEMT 100V 5A 4FSMD-A
