IGLD60R190D1AUMA3

Fabrikant Productnummer:

IGLD60R190D1AUMA3

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IGLD60R190D1AUMA3-DG

Beschrijving:

GAN HV

Gedetailleerde Beschrijving:

N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1

Voorraad:

2344 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad

12965865

Offerte Aanvragen

Aantal
Minimaal 1

(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op

INDIENEN

IGLD60R190D1AUMA3 Technische specificaties

Categorie

FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's

Fabrikant

Infineon Technologies

Verpakking

Tape & Reel (TR)

Reeks

CoolGaN™

Toestand van het product

Active

Soort FET

N-Channel

Technologie

GaNFET (Gallium Nitride)

Afvoer naar bronspanning (VDSS)

600 V

Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)

-

Rds aan (max) @ id, vgs

-

Vgs(th) (Max) @ Id

1.6V @ 960µA

Vgs (Max.)

-10V

Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds

157 pF @ 400 V

FET-functie

-

Vermogensdissipatie (max.)

62.5W (Tc)

Werkende Temperatuur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Type montage

Surface Mount

Leverancier Device Pakket

PG-LSON-8-1

Pakket / Doos

8-LDFN Exposed Pad

Datasheet & Documenten

Technische fiches

Datasheets

IGLD60R190D1AUMA3

HTML Gegevensblad

IGLD60R190D1AUMA3-DG

Aanvullende informatie

Standaard pakket

3,000

Andere namen

448-IGLD60R190D1AUMA3DKR

448-IGLD60R190D1AUMA3TR

448-IGLD60R190D1AUMA3CT

SP005557217

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status

ROHS3 Compliant

Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)

3 (168 Hours)

REACH-status

REACH Unaffected

Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Certificering

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Gerelateerde Producten

IGOT60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

IGT60R190D1ATMA1

GAN HV

IGO60R070D1E8220AUMA1

GAN HV

IGT40R070D1ATMA1

GAN HV