Fabrikant Productnummer:
IMBG120R140M1HXTMA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IMBG120R140M1HXTMA1-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 18A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Voorraad:
1556 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12945947
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IMBG120R140M1HXTMA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds aan (max) @ id, vgs
189mOhm @ 6A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 2.5mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
13.4 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+18V, -15V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
491 pF @ 800 V
FET-functie
Standard
Vermogensdissipatie (max.)
107W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-TO263-7-12
Pakket / Doos
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis productnummer
IMBG120
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
1,000
Andere namen
SP004463792
448-IMBG120R140M1HXTMA1TR
448-IMBG120R140M1HXTMA1CT
448-IMBG120R140M1HXTMA1DKR
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSS126IXTSA1
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
STU60N55F3
MOSFET N-CH 55V 80A IPAK
IMBG120R045M1HXTMA1
SICFET N-CH 1.2KV 47A TO263
