IMT65R039M1HXUMA1
Fabrikant Productnummer:

IMT65R039M1HXUMA1

Product Overview

Fabrikant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Onderdeelnummer:

IMT65R039M1HXUMA1-DG

Beschrijving:

SILICON CARBIDE MOSFET
Gedetailleerde Beschrijving:
650 V Surface Mount PG-HSOF-8-1

Voorraad:

2000 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12989138
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN

IMT65R039M1HXUMA1 Technische specificaties

Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tape & Reel (TR)
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Active
Soort FET
-
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
650 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
-
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
18V
Rds aan (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (Max.)
-
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
-
Werkende Temperatuur
-
Type montage
Surface Mount
Leverancier Device Pakket
PG-HSOF-8-1
Pakket / Doos
8-PowerSFN

Aanvullende informatie

Standaard pakket
2,000
Andere namen
448-IMT65R039M1HXUMA1DKR
448-IMT65R039M1HXUMA1CT
SP005716838
448-IMT65R039M1HXUMA1TR

Milieu- en Exportclassificatie

RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
2 (1 Year)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Gerelateerde Producten
infineon-technologies

IPTG044N15NM5ATMA1

TRENCH >=100V

utd-semiconductor

STD35NF06L

TO-252 MOSFETS ROHS

anbon-semiconductor

AS3401

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

anbon-semiconductor

AS2312

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE