Fabrikant Productnummer:
IMW120R014M1HXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IMW120R014M1HXKSA1-DG
Beschrijving:
SIC DISCRETE
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 127A (Tc) 455W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Voorraad:
258 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12976348
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IMW120R014M1HXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
127A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V, 18V
Rds aan (max) @ id, vgs
18.4mOhm @ 54.3A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.2V @ 23.4mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
110 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
4580 nF @ 25 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
455W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3
Pakket / Doos
TO-247-3
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
448-IMW120R014M1HXKSA1
SP005425449
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPF024N10NF2SATMA1
TRENCH >=100V
IWM023N08NM5XUMA1
TRENCH 40<-<100V
IPL65R065CFD7AUMA1
HIGH POWER_NEW
