Fabrikant Productnummer:
IMW120R030M1HXKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IMW120R030M1HXKSA1-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Voorraad:
1690 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12801405
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IMW120R030M1HXKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Active
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
56A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V, 18V
Rds aan (max) @ id, vgs
40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (Max.)
+23V, -7V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
2120 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
227W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-41
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IMW120
Datasheet & Documenten
Technische fiches
Datasheets
HTML Gegevensblad
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
448-IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1-DG
SP001727390
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
BSZ340N08NS3GATMA1
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
