Fabrikant Productnummer:
IMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Fabrikant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Onderdeelnummer:
IMW120R045M1XKSA1-DG
Beschrijving:
SICFET N-CH 1.2KV 52A TO247-3
Gedetailleerde Beschrijving:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41
Voorraad:
58 Stuks Nieuwe Originele Op Voorraad
12800230
Offerte Aanvragen
Aantal
Minimaal 1
Minimaal 1
(*) is verplicht
We nemen binnen 24 uur contact met u op
We nemen binnen 24 uur contact met u op
INDIENEN
IMW120R045M1XKSA1 Technische specificaties
Categorie
FET's, MOSFET's, Enkele FET's, MOSFET's
Fabrikant
Infineon Technologies
Verpakking
Tube
Reeks
CoolSiC™
Toestand van het product
Not For New Designs
Soort FET
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Afvoer naar bronspanning (VDSS)
1200 V
Stroom - continue afvoer (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Aandrijfspanning (Max Rds aan, Min Rds aan)
15V
Rds aan (max) @ id, vgs
59mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.7V @ 10mA
Poortlading (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 15 V
Vgs (Max.)
+20V, -10V
Ingangscapaciteit (Ciss) (Max) @ Vds
1900 pF @ 800 V
FET-functie
-
Vermogensdissipatie (max.)
228W (Tc)
Werkende Temperatuur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type montage
Through Hole
Leverancier Device Pakket
PG-TO247-3-41
Pakket / Doos
TO-247-3
Basis productnummer
IMW120
Datasheet & Documenten
Aanvullende informatie
Standaard pakket
30
Andere namen
IMW120R045M1XKSA1-DG
SP001346254
448-IMW120R045M1XKSA1
Milieu- en Exportclassificatie
RoHS-status
ROHS3 Compliant
Vochtgevoeligheidsniveau (MSL)
Not Applicable
REACH-status
REACH Unaffected
Het Europees Geneesmiddelenbureau (ECCN)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatieve Modellen
DEELNUMMER
MSC025SMA120B
Fabrikant
Microchip Technology
BESCHIKBARE HOEVEELHEID
30
DEELNUMMER
MSC025SMA120B-DG
EENHEIDSPRIJS
28.12
SUBSTITUTIE TYPE
MFR Recommended
DIGI Certificering
Gerelateerde Producten
IPD100N04S402ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A TO252-3
IPB065N10N3GATMA1
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IPD30N03S4L09ATMA1
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
